BSC750N10NDGATMA1

Hersteller-Teilenummer:	BSC750N10NDGATMA1
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Datenblätte:	1.BSC750N10NDGATMA1.pdf 2.BSC750N10NDGATMA1.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2550 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerBSC750N10NDGATMA1
HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
BeschreibungMOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays
Teilstatus2550 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id4V @ 12µA
Supplier Device-GehäusePG-TDSON-8 Dual
SerieOptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 13A, 10V
Leistung - max26W
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-PowerVDFN
Andere NamenBSC750N10ND G
BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GTR
BSC750N10ND GTR-ND
BSC750N10NDG
BSC750N10NDGATMA1TR
SP000359610
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds720pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Typ FET2 N-Channel (Dual)
FET-MerkmalStandard
Drain-Source-Spannung (Vdss)100V
detaillierte BeschreibungMosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8 Dual
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C3.2A
BasisteilenummerBSC750N10
BSC750N10NDGATMA1 Einzelheiten PDF [English]BSC750N10NDGATMA1 PDF - EN.pdf

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